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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840E18GB-100T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 16/31頁 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | GS840E18GB-100T |
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Rev: 2.05 6/2000
23/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1a
Q3a
Q2d
Q2c
Q2b
Q2a
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
ADSC
BW
G
GW
ADV
E2
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tS
tH
tS
tH
tS tH
ADSC initiated read
Suspend Burst
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP or ADSC
Deselected with E2
Single Read
ADSP is blocked by E1 inactive
A0-An
BA - BD
E3
E1
tKH
tKC
tS tH
tS
tH
DQA-DQD
tS
RD1
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840E18GB-180 | 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| GS8641E18F-200IT | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS8641Z18GF-167T | 4M X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165 |
| GS8642V18E-250 | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8642ZV36GB-167IT | 2M X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS840E18T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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