- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299161 > GS840E18GB-100T (GSI TECHNOLOGY) 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PBGA119 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS840E18GB-100T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 8/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 629K |
| 代理商： | GS840E18GB-100T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁當(dāng)前第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
Rev: 2.05 6/2000
16/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
Note: This parameter is sample tested.
Notes:
1. Junction temperature is a function of SRAM power dissipation, package thermal resistance, mounting board temperature, ambient. Temper-
ature air flow, board density, and PCB thermal resistance.
2. SCMI G-38-87.
3. Average thermal resistance between die and top surface, MIL SPEC-883, Method 1012.1.
Capacitance
(TA=25oC, f=1MHZ, VDD=3.3V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Control Input Capacitance
CI
VDD=3.3V
3
4
pF
Input Capacitance
CIN
VIN=0V
4
5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT=0V
6
7
pF
Package Thermal Characteristics
Rating
Layer Board
Symbol
TQFP Max
BGA Max
Unit
Notes
Junction to Ambient (at 200 lfm)
single
RΘJA
40
38
°C/W
1,2,4
Junction to Ambient (at 200 lfm)
four
RΘJA
24
21
°C/W
1,2,4
Junction to Case (TOP)
RΘJC
9
5
°C/W
3,4
20% tKC
VSS-2.0V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
VDD+-2.0V
50%
VDD
VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840E18GB-180 | 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| GS8641E18F-200IT | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS8641Z18GF-167T | 4M X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165 |
| GS8642V18E-250 | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8642ZV36GB-167IT | 2M X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS840E18T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。