參數(shù)資料
型號： GS84118T-166
英文描述： x18 Synchronous SRAM
中文描述： x18同步SRAM
文件頁數(shù)： 16/30頁
文件大?。?/td> 584K
代理商： GS84118T-166
Rev: 1.05 7/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
16/30
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS84118T/B-166/150/130/100
Q1a
Q3a
Q2d
Q2c
Q2b
Q2a
t
KQ
t
LZ
t
OE
t
OHZ
t
OLZ
t
KQX
t
HZ
t
KQX
CLK
ADSP
ADSC
BWE
OE
GW
ADV
CE2
Single Read
RD2
RD3
t
KL
t
S
t
H
t
H
t
H
t
S
t
H
t
H
t
S
t
H
t
S
t
H
ADSC initiated read
Suspend Burst
CE1 masks ADSP
CE2 and CE3 only sampled with ADSP or ADSC
Deselected with CE2
Single Read
ADSP is blocked by CE1 inactive
A0–A17
BW1–
BW2
CE3
CE1
t
KH
t
KC
t
S
t
H
t
S
t
S
t
H
DQ1–16
DQP1–2
t
S
t
S
RD1
Hi-Z
Suspend Burst
Flow Through—Read Cycle Timing
相關PDF資料
PDF描述
GS8550BU TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
GS8550CU TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
GS8550DU TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
GS880F18 8Mb Sync Burst SRAMs
GS880Z18-100 Header; No. of Contacts:20; Pitch Spacing:0.079"; No. of Rows:2; Gender:Male; Series:1552; Body Material:Glass Filled Polyester; Connector Retention Style:Latch/Ejector; Contact Termination:Through Hole; Housing Style:Right-Angle RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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GS841E18AB-100 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 12NS/4.5NS 119FBGA - Trays
GS841E18AB-100I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 12NS/4.5NS 119FBGA - Trays
GS841E18AB-133 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18 Sync Cache Tag
GS841E18AB-150 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 10NS/3.8NS 119FBGA - Trays
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