參數(shù)資料
型號： GS84118T-166
英文描述： x18 Synchronous SRAM
中文描述： x18同步SRAM
文件頁數(shù)： 20/30頁
文件大?。?/td> 584K
代理商： GS84118T-166
Rev: 1.05 7/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
20/30
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS84118T/B-166/150/130/100
Hit
Miss
Fill Write
CLK
CE
(1)
W
(2)
OE
A0-A17
DQ1-16
DQP1-2
DE
MOE
MATCH
t
S
t
H
A
B
B
A
B
t
MLZ
t
MOE
t
KM
t
KMX
Match high when chip deselected
Flow Through—Compare/Fill Write Cycle Timing
t
KM
t
KM
2. W = L is the Asertive function of GW, BWE, BW1, BW2. See Byte Write Function table for detail.
1. CE = L is defined as CE1=L, CE2=H and CE3=L
Notes:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS8550CU TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
GS8550DU TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
GS880F18 8Mb Sync Burst SRAMs
GS880Z18-100 Header; No. of Contacts:20; Pitch Spacing:0.079"; No. of Rows:2; Gender:Male; Series:1552; Body Material:Glass Filled Polyester; Connector Retention Style:Latch/Ejector; Contact Termination:Through Hole; Housing Style:Right-Angle RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS841E18AB-100 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 12NS/4.5NS 119FBGA - Trays
GS841E18AB-100I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 12NS/4.5NS 119FBGA - Trays
GS841E18AB-133 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18 Sync Cache Tag
GS841E18AB-150 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 10NS/3.8NS 119FBGA - Trays
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