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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | H5N2522FN-E-T2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | H5N2522FN-E-T2 |
H5N2522FN
REJ03G1573-0210 Rev.2.10 May 08, 2007
Page 5 of 6
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R
L
V
DD
= 120V
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
10
90%
10%
tf
Switching Time Test Circuit
Waveform
10
1
0.1
0.01
0.001
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
10
1
100
Tc = 25
°
C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Pulse Width PW (S)
N
γ
s
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
P
DM
PW
T
D =T
θ
ch – c (t) =
γ
s (t)
θ
ch – c
θ
ch – c = 3.57
°
C/W, Tc = 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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