參數(shù)資料
型號： HAT2197R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 98K
代理商： HAT2197R
HAT2197R
Rev.2.00, Apr.02.2004, page 4 of 7
Case Temperature Tc (°C)
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
12
10
8
6
4
-25
0
50
25
100
75
125 150
2
R
D
I = 20 A
D
5 A, 10 A, 20 A
V = 4.5 V
10 V
Pulse Test
5, 10 A
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
100
1000
1
Tc = –25°C
V = 10 V
Pulse Test
75°C
25°C
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
1
10
100
100
20
50
10
0.1
di/dt = 100 A/
μ
s
V = 0, Ta = 25°C
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
10
5
15
20
25
30
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Gate Charge Qg (nC)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
16
32
48
64
80
0
I = 16 A
V
GS
V
DS
V = 25 V
10 V
5 V
V = 25 V
10 V
5 V
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
100
10
1
1
10
100
0.1
1000
V = 10 V , V = 10 V
Rg = 4.7 , duty < 1 %
d(on)
t
d(off)
t
r
tf
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PDF描述
HAT2198R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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