參數(shù)資料
型號： HAT2197R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： HAT2197R
HAT2197R
Rev.2.00, Apr.02.2004, page 5 of 7
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
5 V
V = 0 V
10 V
50
40
30
20
10
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (°C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I = 16 A
V = 15 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
Pulse Width PW (s)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
s
γ
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot puse
DM
P
PW
T
D =T
ch - f = 83.3°C/W, Ta = 25°C
When using the glass epoxy board
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm)
θ γ θ
θ
相關PDF資料
PDF描述
HAT2198R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2198R-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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HAT2204C Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes, SOD323 (UMD2; I-IEIA; URP), Tape reel SMD
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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