參數(shù)資料
型號： HAT2197R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： HAT2197R
HAT2197R
Rev.2.00, Apr.02.2004, page 6 of 7
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E
AR
= 1
I
AP
2
2
V
V - V
DSS
DD
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R
L
V
= 10 V
DS
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Switching Time Waveform
Rg
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2198R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2198R-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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HAT2204C Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes, SOD323 (UMD2; I-IEIA; URP), Tape reel SMD
HAT2220R Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2197R-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2198R 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2198R-EL-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOP
HAT2198WP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Tape and Reel
HAT2199R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP - Tape and Reel
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