參數(shù)資料
型號(hào)： HM5251805B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 26/64頁
文件大?。?/td> 1030K
代理商： HM5251805B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
26
Write with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after completing
a burst write or single write operation, a precharge command need not be executed after each write operation.
The command executed for the same bank after the execution of this command must be the bank active
(ACTV) command. In addition, an interval of l
APW
is required between the final valid data input and input of
next command.
Burst Write (Burst Length = 4)
CLK
Command
DQ (input)
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in0
in1
in2
in3
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
Single Write
CLK
Command
DQ (input)
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5251165B 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
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HM5257165B-A6 CABLE ASSEMBLY
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參數(shù)描述
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