參數(shù)資料
型號： HM5251805B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 59/64頁
文件大?。?/td> 1030K
代理商： HM5251805B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
Address
A10=1
59
Auto Refresh Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
CLK
CKE
CS
CAS
WE
BS
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (input)
DQ (output)
&
l
SREX
'
/
0
7
8
@
H
I
D
DQMU/DQML
DQ (input)
M
N
%
Self Refresh Cycle
"
7
F
8
O
@
>
A
F
H
G
I
O
High-Z
RP
RAS
!
)
*
1
2
1
9
:
C
8
P
@
5
A
=
H
>
I
F
/
G
0
O
8
,
+
H
4
Precharge command
ignore command
5
command
Self refresh exit
Next
4
<
=
E
F
M
N
6
>
G
H
O
&
'
/
Precharge
Auto Refresh
Active
Bank 0
t
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Read
Bank 0
R:a
C:a
A10=1
RAS
!
)
*
2
;
:
;
C
L
8
A
B
I
J
#$
,
4
5
9
<
=
B
F
J
K
a
a+1
V
IH
Refresh cycle and
Read cycle
RAS
-
CAS
delay = 2
CAS
latency = 2
Burst length = 4
= V or V
IH
IL
%
RC
t
Self refresh cycle
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IH
&
RC
t
-
.
CLK
CKE
CS
CAS
WE
BS
DQM,
DQ (output)
$
)
,-
2
5
:
;
>
B
C
K
L
.
7
8
@
/
7
8
@
I
*
2
3
;
2
:
;
C
D
:
B
C
K
L
6
@
H
(
-
5
>
$
-
Auto
refresh
P
(
1
7
@
H
I
@
H
I
CKE Low
RP
t
6
enable
,
5
=
>
E
F
N
O
,
4
5
=
>
E
F
M
N
IL
High-Z
Next
clock
Self refresh entry
command
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PDF描述
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