參數(shù)資料
型號： HM5251805B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 32/64頁
文件大?。?/td> 1030K
代理商： HM5251805B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
32
Read with auto precharge to Write command interval
1. Different bank:
When some banks are in the active state, the second write command (another bank) is
executed. However, DQM, DQMU/DQML must be set High so that the output buffer becomes High-Z before
data input. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second command.
Read with Auto Precharge to Write Command Interval
(Different bank)
CLK
Command
BS
Dout
Din
CL = 2
CL = 3
READ A
WRIT
in B0
in B1
in B2
in B3
Burst Length = 4
bank0
Read A
bank3
Write
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQM,
DQMU/DQML
High-Z
2. Same bank:
The consecutive write command from read with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
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PDF描述
HM5251165B 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
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HM5257165B-A6 CABLE ASSEMBLY
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參數(shù)描述
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