參數(shù)資料
型號： HM5251805B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 36/64頁
文件大?。?/td> 1030K
代理商： HM5251805B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
36
Write command to Precharge command interval (same bank):
When the precharge command is executed
for the same bank as the write command that preceded it, the minimum interval between the two commands is
1 clock. However, if the burst write operation is unfinished, the input data must be masked by means of
DQM, DQMU/DQML for assurance of the clock defined by t
DPL
.
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank)
Burst Length = 4
(To stop write operation)
CLK
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
t
DPL
DQM,
DQMU/DQML
CLK
in A0
in A1
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
DQM,
DQMU/DQML
t
DPL
Burst Length = 4
(To write all data)
CLK
in A0
in A1
in A2
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
in A3
DQM,
DQMU/DQML
t
DPL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5251165B 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
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HM5257165B-A6 CABLE ASSEMBLY
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參數(shù)描述
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