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參數(shù)資料
| 型號： | HM5264405D |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64M LVTTL interface SDRAM(64M LVTTL接口同步DRAM) |
| 中文描述： | 6400 LVTTL接口的SDRAM（6400 LVTTL接口同步的DRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 25/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 615K |
| 代理商： | HM5264405D |
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HM5264165D-A60, HM5264805D-A60, HM5264405D-A60
25
Write with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after
completing a burst write or single write operation, a precharge command need not be executed after each
write operation. The command executed for the same bank after the execution of this command must be the
bank active (ACTV) command. In addition, an interval of l
APW
is required between the final valid data
input and input of next command.
Burst Write (Burst Length = 4)
CLK
Command
DQ (input)
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in0
in1
in2
in3
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
Single Write
CLK
Command
DQ (input)
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
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PDF描述 |
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