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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5264405D |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64M LVTTL interface SDRAM(64M LVTTL接口同步DRAM) |
| 中文描述： | 6400 LVTTL接口的SDRAM（6400 LVTTL接口同步的DRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/67頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 615K |
| 代理商： | HM5264405D |
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HM5264165D-A60, HM5264805D-A60, HM5264405D-A60
47
DC Characteristics
(Ta = 0 to 70C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
(HM5264165D)
HM5264165D
-A60
Parameter
Symbol Min
Max
Unit
Test conditions
Notes
Operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC1
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
—
75
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
1, 2, 3
—
75
mA
Standby current in power down
—
3
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns 6
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
Standby current in power down
(input signal stable)
—
2
mA
7
Standby current in non power down I
CC2N
—
16
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
4
Standby current in non power down
(input signal stable)
I
CC2NS
—
9
mA
9
Active standby current in power
down
I
CC3P
—
4
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns 1, 2, 6
Active standby current in power
down (input signal stable)
I
CC3PS
—
3
mA
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
2, 7
Active standby current in non
power down
I
CC3N
—
20
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
1, 2, 4
Active standby current in non
power down (input signal stable)
I
CC3NS
—
15
mA
2, 9
Burst operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
90
mA
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 5
—
90
mA
Refresh current
—
115
mA
t
RC
= min
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
3
Self refresh current
—
1
mA
8
Self refresh current (L-version)
I
CC6
I
LI
I
LO
—
400
μ
A
μ
A
μ
A
Input leakage current
–1
1
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
Output leakage current
–1.5
1.5
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
V
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
Output low voltage
—
0.4
V
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PDF描述 |
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