參數(shù)資料
型號: HM5425801BTT-10
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述: 32M X 8 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù): 16/65頁
文件大?。?/td> 489K
代理商: HM5425801BTT-10
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
16
Function Truth Table (2)
Current state
CS
RAS CAS WE
Address
Command
Operation
Next state
Activating*
5
H
×
×
×
×
×
×
DESL
NOP
Active
L
H
H
H
NOP
NOP
Active
L
H
H
L
BST
ILLEGAL*
12
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL*
12
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL*
12
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
ILLEGAL*
12
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL*
12
L
L
L
×
×
×
×
×
×
ILLEGAL
Active*
6
H
×
×
DESL
NOP
Active
L
H
H
H
NOP
NOP
Active
L
H
H
L
BST
ILLEGAL
Active
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Starting read
operation
Read/READ
A
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Starting write
operation
Write
recovering/
precharging
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
ILLEGAL*
12
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Pre-charge
Idle
L
L
L
×
×
×
×
×
×
BA, CA, A10
ILLEGAL
Active
Read*
7
H
×
×
DESL
NOP
L
H
H
H
NOP
NOP
Active
L
H
H
L
BST
BST
Interrupting burst
read operation to
start new read
ILLEGAL*
14
Active
L
H
L
H
READ/READA
Active
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
ILLEGAL*
12
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Interrupting burst
read operation to
start pre-charge
ILLEGAL
Precharging
L
L
L
×
×
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5425401BTT-10 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5425161B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5425401B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5425801B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5425161BTT-75A 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM5425801BTT-75A 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5425801BTT-75B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5444R42HLF 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors
HM54-44R42HLF 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
HM5444R42VLF 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors