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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5425801BTT-10 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801BTT-10 |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
28
Auto Precharge
Read with auto-precharge:
The precharge is automatically performed after completing a read operation.
The precharge starts t
RPD
(BL/2) cycle after READA command input. t
RAP
specification for READA allows a
read command with auto precharge to be issued to a bank that has been activated (opened) but has not yet
satisfied the t
RAS
(min) specification. A column command to the other active bank can be issued at the next
cycle after the last data output. Read with auto-precharge command does not limit row commands execution
for other bank. Refer to the ‘Read with Auto-Precharge Enabled, Write with Auto-Precharge Enabled’
section.
D0
D1
D2
D3
CLK
CLK
DQ
Command
t
RP
(min)
t
RAP
(min) = t
RCD
(min)
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
NOP
2 cycles (= BL/2)
READA
ACTV
DQS,
DQSU/DQSL
t
AC
,t
DQSCK
t
RPD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
| HM5444R42VLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
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