- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370623 > HM5425801BTT-10 (ELPIDA MEMORY INC) 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5425801BTT-10 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 43/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801BTT-10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當(dāng)前第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
43
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Supply voltage relative to V
SS
Voltage on inputs pin relative to V
ss
Voltage on I/O pins relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
, V
CCQ
Vti
–
1.0 to +3.6
V
–
1.0 to +3.6
V
VTio
–
0.5 to +3.6
V
Iout
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°
C
Storage temperature
Tstg
–
55 to +125
°
C
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
, V
CCQ
V
SS
, V
SSQ
V
REF
(DC)
V
TT
V
IH
(DC)
V
IL
(DC)
V
IN
(DC)
2.3
2.5
2.7
V
1, 2
0
0
0
V
Input reference voltage
0.5
×
V
CCQ
–
0.05
V
REF
–
0.04
V
REF
+0.15
–
0.3
0.5
×
V
CCQ
V
REF
—
0.5
×
V
CCQ
+0.05
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.3
V
REF
–
0.15
V
CCQ
+ 0.3
V
1
Termination voltage
V
1
DC Input high voltage
V
1, 3, 8
DC Input low voltage
—
V
1, 4, 8
DC Input signal voltage
(CLK, /CLK)
–
0.3
—
V
5
DC differential input voltage
(CLK, /CLK)
Notes: 1. All parameters are referred to V
, when measured.
2. V
CCQ
must be lower than or equal to V
.
3. V
IH
is allowed to exceed V
up to 3.6 V for the period shorter than or equal to 5 ns.
4. V
IL
is allowed to outreach below V
SS
down to
–
1.0 V for the period shorter than or equal to 5 ns.
5. V
IN
(dc) specifies the allowable dc execution of each differential input.
6. V
ID
(dc) specifies the input differential voltage required for switching.
7. V
IH
(CLK) min assumed over V
REF
+ 0.15 V, V
IL
(CLK) max assumed under V
REF
–
0.15 V.
8. V
IH
(DC) and V
IL
(DC) are levels to maintain the current logic state.
V
ID
(DC)
0.36
—
V
CCQ
+ 0.6
V
6, 7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425401BTT-10 | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425401B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161BTT-75A | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5425801BTT-75A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801BTT-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5444R42HLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
| HM5444R42VLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。