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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W256AH03TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲器控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 53/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | HN29W256AH03TE |
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HN29W256AH03TE-1
53
DC Characteristics-2
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 5 V
±
10%, V
DD
= 3.3 V
±
5
%
)*
9
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input voltage (CMOS level)
V
IHC
V
ILC
V
IHC
V
ILC
V
TC+
V
TC–
V
TC
*
2
V
OH
0.7
×
V
CC
—
–0.3
V
CC
+ 0.3 V
0.3
×
V
CC
V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
—
—
Input voltage (TTL level)
2.4
—
—
–0.3
—
V
Schmitt circuit (CMOS level)*
1
(2.8)
—
4.0
V
V
CC
= 5 V
1.1
—
(2.4)
V
(0.3)
—
—
V
Output voltage (CMOS)
(3 mA)*
3
V
CC
– 0.4
—
—
V
I
OH
= –2 mA
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 8 mA
I
OH
= –6 mA
Output voltage (CMOS)
(2 mA/3 mA)*
3
V
CC
– 0.4
—
—
V
V
OL
I
LI
I
LO
–I
PU
I
SP1
—
—
0.4
V
I
OL
= 8 mA
—
Input leakage current*
4
—
—
1
μ
A
μ
A
μ
A/(k
) V
IN
= GND
mA
CMOS level
(control signal = V
CC
–
0.2)
Output leakage current*
4
—
—
1
V
OUT
= high impedance
Pull-up current/(Resistivity)*
5
10/(550)
45/(110) 90/(50)
Sleep/standby current*
8
—
(0.5)
(1.0)
Sector read current*
6, 8
I
CCR
(DC)
—
(40)
(70)
mA
CMOS level
(control signal = V
CC
–
0.2)
I
CCR
(Peak) —
I
CCW
(DC)
I
CCW
(Peak) —
(80)
(120)
mA
Sector write current*
7, 8
—
(45)
(75)
mA
CMOS level
(80)
(120)
mA
(control signal = V
CC
–
0.2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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