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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W6484DH08TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲器控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 54/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | HN29W6484DH08TE |
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HN29W6484DH08TE-1
54
DC Characteristics-2
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 5 V
±
10%)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input voltage (CMOS level)
V
IHC
V
ILC
V
IHC
V
ILC
V
TC+
V
TC–
V
TC
*
2
V
OH
0.7
×
V
CC
—
–0.3
V
CC
+ 0.3 V
0.3
×
V
CC
V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
—
—
Input voltage (TTL level)
2.4
—
—
–0.3
—
V
Schmitt circuit (CMOS level)*
1
(2.8)
—
4.0
V
V
CC
= 5 V
1.1
—
(2.4)
V
(0.3)
—
—
V
Output voltage (CMOS)
(2 mA)*
3
V
CC
– 0.4
—
—
V
I
OH
= –4 mA
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 4 mA
I
OH
= –8 mA
Output voltage (CMOS)
(3 mA)*
3
V
CC
– 0.4
—
—
V
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 8 mA
I
OH
= –6 mA
Output voltage (CMOS)
(2 mA/3 mA)*
3
V
CC
– 0.4
—
—
V
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 8 mA
I
OH
= –3 mA
Output voltage (CMOS)
(1 mA/2 mA)*
3
V
CC
– 0.4
—
—
V
V
OL
I
LI
I
LO
–I
PU
–I
PU
I
SP1
—
—
0.4
V
I
OL
= 4 mA
—
Input leakage current*
4
—
—
1
μ
A
μ
A
Output leakage current*
4
—
—
1
V
OUT
= high impedance
Pull-up current/(Resistivity)
60/(92)
220/(23) 570/(7.9)
μ
A/(k
) V
IN
= GND
45/(110) 90/(50)
Pull-up current/(Resistivity)*
5
10/(550)
μ
A/(k
) V
IN
= GND
mA
CMOS level (control
signal = V
CC
– 0.2)
mA
CMOS level (control
signal = V
CC
– 0.2)
mA
Sleep/standby current*
8
—
(0.5)
(1.0)
Sector read current*
6, 8
I
CCR
(DC)
—
(40)
(70)
I
CCR
(Peak) —
I
CCW
(DC)
(80)
(120)
Sector write current*
7, 8
—
(45)
(75)
mA
CMOS level (control
signal = V
CC
– 0.2)
I
CCW
(Peak) —
(80)
(120)
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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