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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W6484DH08TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲器控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 64/74頁 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | HN29W6484DH08TE |
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HN29W6484DH08TE-1
64
True IDE Mode Access Read AC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
data delay after IORD
td(IORD)
—
—
100
ns
data hold following IORD
th(IORD)
0
—
—
ns
IORD width time
tw(IORD)
165
—
—
ns
address setup before IORD
tsuA(IORD)
70
—
—
ns
address hold following IORD
thA(IORD)
20
—
—
ns
CE setup before IORD
tsuCE(IORD)
5
—
—
ns
CE hold following IORD
thCE(IORD)
20
—
—
ns
IOIS16 delay falling from address
tdfIOIS16(ADR)
—
—
35
ns
IOIS16 delay rising from address
tdrIOIS16(ADR)
—
—
35
ns
True IDE Mode Access Read Timing
-IORD
A0 to A2
-CE2/-CE1
-IOIS16
Valid Output
D0 to D15
-IOWR: High Fix, -OE: Low Fix, -WE: High Fix, A3 to A10: GND
t
suA(IORD)
t
suCE(IORD)
t
hA(IORD)
t
hCE(IORD)
t
h(IORD)
t
drlOIS16(ADR)
t
dflOIS16(ADR)
t
d(IORD)
t
w(IORD)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
| HN462716 | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
| HN462716G | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29W64AH05TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W8411SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29WB800 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800FP-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800FP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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