參數(shù)資料
型號： HUF75333G3
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Lead Acid Battery; Voltage Rating:6V; Battery Capacity:1Ah; Battery Terminals:Solder Tab RoHS Compliant: NA
中文描述： 56 A, 55 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 108K
代理商： HUF75333G3
108
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORM
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75333P3 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Power MOSFETs
HUF75333S3S 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Power MOSFETs
HUF75339G3 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
HUF75339P3 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs(75A, 55V, 0.012 Ω, N溝道UltraFET功率MOS場效應(yīng)管)
HUF75339S3S 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs(75A, 55V, 0.012 Ω, N溝道UltraFET功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF75333P3 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75333P3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
HUF75333P3_NS2552 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
HUF75333P3_Q 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75333S3 功能描述:MOSFET 66a 55V 0.016Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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