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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 39S128160CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit(4banks × 2MBit × 16) Synchronous DRAM(128M(4列 × 2M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128兆位（4banks × 2Mbit的× 16）同步DRAM（128M的（4列× 2位× 16）同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 25/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | HYB 39S128160CT |
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HYB39S128400/800/160CT(L)
128MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
5. Burst Write Operation
(
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述 |
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