參數(shù)資料
型號: HYB 39S256160AT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
中文描述: 256兆位(4banks ×的4Mb × 16)同步DRAM(256M(4列× 4分位× 16)同步動態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 17/42頁
文件大小: 282K
代理商: HYB 39S256160AT
HYB 39S256400/800/160AT
256-MBit Synchronous DRAM
Data Book
17
1.00
AC Characteristics
1, 2
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Limit Values
Unit
Note
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
-8A
PC100-322
-8B
PC100-323
min.
max. min.
max. min.
max. min.
max.
Clock and Clock Enable
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
10
8
10
8
12
10
15
ns
ns
Clock frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
133
100
125
100
125
83
100
66
MHz
MHz
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
5.4
6
6
6
6
6
6
7
ns
ns
2, 3, 6
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
t
T
2.5
3
3
3
ns
Clock Low Pulse Width
2.5
3
3
3
ns
Transition Time
0.3
1.2
0.5
10
0.5
10
0.5
10
ns
Setup and Hold Times
Input Setup Time
t
IS
t
IH
t
CKS
t
CKH
t
RSC
1.5
2
2
2
ns
4
Input Hold Time
0.8
1
1
1
ns
4
CKE Setup Time
1.5
2
2
2
ns
4
CKE Hold Time
0.8
1
1
1
ns
4
Mode Register Set-up
Time
2
2
2
2
CLK
Power Down Mode Entry
Time
t
SB
0
7.5
0
8
0
10
0
10
ns
Common Parameters
Row to Column Delay
Time
t
RCD
20
20
20
20
ns
5
Row Precharge Time
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
20
20
20
30
ns
5
Row Active Time
45
100k
48
100k
48
100k
60
100k
ns
5
Row Cycle Time
67
70
70
80
ns
5
Activate(a) to Activate(b)
Command Period
15
16
16
20
ns
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYB 39S256160CT 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S64160AT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4M x 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合))
HYB 39S64160BT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4列 × 1M位 × 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合))
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參數(shù)描述
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