參數(shù)資料
型號: HYB 39S256160AT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
中文描述: 256兆位(4banks ×的4Mb × 16)同步DRAM(256M(4列× 4分位× 16)同步動態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 39/42頁
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代理商: HYB 39S256160AT
HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
38
15.2 CAS Latency = 3
Activate
Command
Bank A
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Read
Command
Bank B
Command
Bank B
Activate
Hi-Z
Bx1
Bx0
CBx
RBx
RCD
t
RBx
t
AC3
Activate
Command
Bank B
Bx6
Bank A
Command
Read
Bx4
Bx3
Bx2
Bx5
Bank B
Precharge
Command
Ax0
Bx7
Ax2
Ax1
RAx
CAx
RAx
RP
t
RBy
RBy
Precharge
Command
Bank A
Ax7
Read
Command
Bank B
Ax5
Ax4
Ax3
Ax6
SPT03926
By0
CBy
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
High
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
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PDF描述
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HYB 39S64160AT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4M x 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合))
HYB 39S64160BT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4列 × 1M位 × 16)同步動態(tài)RAM(用于高速圖形場合))
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參數(shù)描述
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