參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 39S256160AT
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 256兆位（4banks ×的4Mb × 16）同步DRAM（256M（4列× 4分位× 16）同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 25/42頁(yè)
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代理商： HYB 39S256160AT
HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
5. Burst Write Operation
(
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述
HYB 39S256400CT 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S256800CT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S256160CT 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S64160AT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4M x 16)同步動(dòng)態(tài)RAM（用于高速圖形場(chǎng)合）)
HYB 39S64160BT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4列 × 1M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM（用于高速圖形場(chǎng)合）)
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參數(shù)描述
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HYB39S256160AT-8 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
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