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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S256160T |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks ×的4Mb × 16）同步DRAM（256M（4列× 4分位× 16）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 17/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 316K |
| 代理商： | HYB 39S256160T |
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HYB 39S256400/800/160T
256-MBit Synchronous DRAM
Data Book
17
12.99
AC Characteristics
1, 2
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Limit Values
Unit
Note
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
-8A
PC100-322
-8B
PC100-323
min.
max. min.
max. min.
max. min.
max.
Clock and Clock Enable
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
12
–
–
8
10
–
–
8
12
–
–
10
15
–
–
ns
ns
–
Clock frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
–
–
133
83
–
–
125
100
–
–
125
83
–
–
100
66
MHz
MHz
–
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
–
5.4
6
–
–
6
6
–
–
6
6
–
–
6
7
ns
ns
2, 3, 6
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
t
T
2.5
–
3
–
3
–
3
–
ns
–
Clock Low Pulse Width
2.5
–
3
–
3
–
3
–
ns
–
Transition Time
0.3
1.2
0.5
10
0.5
10
0.5
10
ns
–
Setup and Hold Times
Input Setup Time
t
IS
t
IH
t
CKS
t
CKH
1.5
–
2
–
2
–
2
–
ns
4
Input Hold Time
0.8
–
1
–
1
–
1
–
ns
4
CKE Setup Time
1.5
–
2
–
2
–
2
–
ns
4
CKE Hold Time
Mode Register Set-up Time
t
RSC
Power Down Mode Entry
Time
0.8
–
1
–
1
–
1
–
ns
4
2
–
2
–
2
–
2
–
CLK
–
t
SB
0
7.5
0
8
0
10
0
10
ns
–
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
Row Precharge Time
20
–
20
–
20
–
20
–
ns
5
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
20
–
20
–
20
–
30
–
ns
5
Row Active Time
45
100k
48
100k
48
100k
60
100k
ns
5
Row Cycle Time
67
–
70
–
70
–
80
–
ns
5
Activate(a) to Activate(b)
Command Period
15
–
16
–
16
–
20
–
ns
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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