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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S256160T |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks ×的4Mb × 16）同步DRAM（256M（4列× 4分位× 16）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 27/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 316K |
| 代理商： | HYB 39S256160T |
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HYB39S256400/800/160T
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
26
7. Burst Write and Read with Auto Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
)
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
COMMAND
NOP
NOP
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A0
DIN A1
*
*
DQ’s
CAS latency = 2
DQ’s
CAS latency = 3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
WR
t
WR
t
RP
t
RP
NOP
COMMAND
READ A
with AP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
*
*
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
RP
t
RP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2,3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S256400T | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256800T | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256400AT | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256800AT | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256160AT | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256160T-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S256160TC-3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-37 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
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