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參數資料
| 型號： | HYB 39S64800BT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64兆比特同步DRAM（6400位（4列× 2位× 8）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 14/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 354K |
| 代理商： | HYB 39S64800BT |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
14
12.99
Burst Termination
Once a burst read or write operation has been initiated, there are several methods in which to
terminate the burst operation prematurely. These methods include using another Read or Write
Command to interrupt an existing burst operation, use a Precharge Command to interrupt a burst
cycle and close the active bank, or using the Burst Stop Command to terminate the existing burst
operation but leave the bank open for future Read or Write Commands to the same page of the
active bank. When interrupting a burst with another Read or Write Command care must be taken to
avoid DQ contention. The Burst Stop Command, however, has the fewest restrictions making it the
easiest method to use when terminating a burst operation before it has been completed. If a Burst
Stop command is issued during a burst write operation, then any residual data from the burst write
cycle will be ignored. Data that is presented on the DQ pins before the Burst Stop Command is
registered will be written to the memory.
A10
BA0
BA1
0
0
0
Bank 0
0
0
1
Bank 1
0
1
0
Bank 2
0
1
1
Bank 3
1
x
x
all Banks
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S64XXX0BTL | 64MBitSynchronous DRAM(64M位同步動態(tài)RAM(低功耗版)) |
| HYB 39S64400CT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S64800CT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| HYB39S64800BT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800BT-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S64800BT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S64800BTL-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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