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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G160AFL-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內存 |
| 文件頁數(shù)： | 39/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1261K |
| 代理商： | HYB18T1G160AFL-5 |
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HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 39 Rev. 1.02 May 2004
2.6.5 Write Data Mask
One write data mask input (DM) for x4 and x8 components and two write data mask inputs (LDM, UDM) for x16
components are supported on DDR2 SDRAM’s, consistent with the implementation on DDR SDRAM’s. It has
identical timings on write operations as the data bits, and though used in a uni-directional manner, is internally
loaded identically to data bits to insure matched system timing. Data mask is not used during read cycles. If DM is
high during a write burst coincident with the write data, the write data bit is not written to the memory. For x8 com-
ponents the DM function is disabled, when RDQS / RDQS are enabled by EMRS(1).
.
.
Write Data Mask Timing
Burst Write Operation with Data Mask: RL = 3 (AL = 0, CL = 3), WL = 2, tWR = 3, BL = 4
DQS,
DQS
DQS
DQS
t
DQSH
t
DQSL
t
WPRE
WPST
t
DQ
Din
Din
Din
Din
t
DS
DH
t
DM
don't care
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
W RITE A
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T9
WL = RL-1 = 2
DM
CMD
DQ
NOP
tW R
<= tDQSS
Precharge
Bank A
Activate
tRP
DQS,
DQS
DM
DIN A0 DIN A1
DIN A3
DIN A2
CK, CK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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