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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G160AFL-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1千兆位DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 74/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1261K |
| 代理商： | HYB18T1G160AFL-5 |
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Page 74 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
6.2 IDD Measurement Conditions (cont’d)
For testing the IDD parameters, the following timing parameters are used:
6.3 ODT (On Die Termination) Current
The ODT function adds additional current consumption to the DDR2 SDRAM when enabled by the EMRS(1).
Depending on address bits A6 & A2 in the EMRS(1) a “week” or “strong” termination can be selected. The current
consumption for any terminated input pin, depends on the input pin is in tri-state or driving “0” or “1”, as long a
ODT is enabled during a given period of time.
ODT current per terminated input pin:
Parameter
Symbol
-5
DDR2 -400
-3.7
DDR2 -533
-3S
DDR2 - 667
-3
DDR2 - 667
Unit
3-3-3
3
5
15
4-4-4
4
3.75
15
5-5-5
5
3
15
4-4-4
4
3
12
CAS Latency
Clock Cycle Time
Active to Read or Write delay
Active to Active / Auto-Refresh command
period
CL(IDD)
tCK(IDD)
tRCD(IDD)
tCK
ns
ns
tRC(IDD)
60
60
60
57
ns
Four Active Window Period
x4 & x8
x16
x4 & x8
tFAW(IDD)
37.5
50
37.5
50
37.5
50
37.5
50
ns
ns
Active bank A to Active
bank B command delay
(1 KB page size)
x16
(2 kB page size)
tRRD(IDD)
7.5
7.5
7.5
7.5
ns
10
10
10
10
ns
Active to Precharge Command
tRASmin(IDD)
tRASmax(IDD)
tRP(IDD)
45
45
45
45
ns
ns
ns
70000
15
70000
15
70000
15
70000
12
Precharge Command Period
Auto-Refresh to Active / Auto-Refresh com-
mand period
tRFC(IDD)
127.5
127.5
127.5
127.5
ns
EMRS(1) State
min.
typ.
max.
Unit
Enabled ODT current per DQ
added IDDQ current for ODT enabled;
ODT is HIGH; Data Bus inputs are FLOATING
IODTO
A6 = 0, A2 = 1
tbd.
6
7.5
mA/DQ
A6 = 1, A2 = 0
tbd.
3
3.75
mA/DQ
Active ODT current per DQ
added IDDQ current for ODT enabled;
ODT is HIGH; worst case of Data Bus inputs
are STABLE or SWITCHING.
IODTT
A6 = 0, A2 = 1
tbd.
12
15
mA/DQ
A6 = 1, A2 = 0
tbd.
6
7.5
mA/DQ
note: For power consumption calculations the ODT duty cycle has to be taken into account
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-3 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-37 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-3S | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T1G400AF-5 | 1 Gbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T1G400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T1G400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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