參數(shù)資料
型號(hào): HYB18T1G160AFL-5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 1 Gbit DDR2 SDRAM
中文描述: 1千兆位DDR2內(nèi)存
文件頁數(shù): 86/89頁
文件大小: 1261K
代理商: HYB18T1G160AFL-5
Page 86 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T1G400/800/160AF
1Gb DDR2 SDRAM
9. Package Dimensions
68 balls FBGA-Package
10,0 mm x 20,0 mm
MO-207 Variation DM-z (x4, x8)
92 balls FBGA-Package
10,0 mm x 20,0 mm
MO-207 Variation DL-z (x16)
2
10,0
0,8
0,8
6.4
1
0,45
+0,05
2
10,0
6.4
1
0,45
+0,05
0,8
0,8
(see balls through package)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T1G400AF 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-3 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-37 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-3S 1 Gbit DDR2 SDRAM
HYB18T1G400AF-5 1 Gbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA