參數(shù)資料
型號(hào): HYB3117805BSJ-50-
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh
中文描述: 200萬(wàn)× 8 -位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器2k刷新
文件頁(yè)數(shù): 14/25頁(yè)
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代理商: HYB3117805BSJ-50-
Semiconductor Group
14
HYB3117805BSJ-50/-60/-70
2M x 8-EDO DRAM
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
Row
Row
t
CSH
t
CAS
t
CRP
t
RWC
t
AWD
t
ASR
t
RP
t
RAS
t
RAH
t
CAH
I/O
(Outputs)
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
I/O
(Inputs)
OE
WE
VIH
VIL
t
ASR
Column
t
RCD
t
DH
t
RSH
t
RAD
t
CWD
t
OEH
t
RWD
t
RWL
t
WP
t
CWL
t
CLZ
t
RCS
t
AA
t
OEA
t
DS
t
DZC
t
DZO
t
ODD
t
CAC
t
OEZ
Valid
Data in
Data
Out
t
RAC
“H” or “L”
t
ASC
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
CAS
Address
VIH
VIL
WL4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYB 5117805BSJ-50 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh(Hyper Page Mode EDO)
HYB 5117805BSJ-60 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh(Hyper Page Mode EDO)
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