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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3117805BSJ-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 8 -位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器2k刷新 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | HYB3117805BSJ-50- |
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Semiconductor Group
8
HYB3117805BSJ-50/-60/-70
2M x 8-EDO DRAM
Data to CAS low delay
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
8
–
10
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
t
RWL
Write command to CAS lead time
t
CWL
Data setup time
13
–
15
–
17
–
ns
13
–
15
–
17
–
ns
t
DS
t
DH
0
–
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
8
–
10
–
12
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
113
–
138
–
162
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
77
–
89
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
32
–
36
–
ns
15
Column address to WE delay time
t
AWD
OE command hold time
39
–
47
–
54
–
ns
15
t
OEH
10
–
13
–
15
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle
time
t
HPC
20
–
25
–
30
–
ns
CAS precharge time
t
CP
t
CPA
t
COH
t
RAS
t
RHPC
8
–
10
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
27
–
32
–
37
ns
7
Output data hold time
5
–
5
–
5
–
ns
RAS pulse width in EDO mode
50
200k
60
200k 70
200k
ns
CAS precharge to RAS Delay
27
–
32
–
37
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
16E
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HYB 5117805BSJ-60 | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
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參數(shù)描述 |
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| HYB3118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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