參數(shù)資料
型號: HYB314400BJ-50-
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述: 100萬× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器
文件頁數(shù): 11/25頁
文件大小: 126K
代理商: HYB314400BJ-50-
HYB 314400BJ-50/-60
3.3 V 1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
11
1998-10-01
Read Cycle
SPT03025
"H" or "L"
OEA
CAC
RAL
t
OH
OL
V
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
V
IH
V
IL
V
OE
WE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
RAC
t
Hi
DZO
Z
t
CLZ
t
t
DZC
t
RCS
AA
t
t
V
Address
V
IL
V
IH
IL
CAS
RAS
IL
V
IH
V
V
IH
t
RAD
ASR
t
Row
t
Column
RAH
ASC
t
CAH
t
t
RCD
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CSH
t
t
RAS
t
t
ODD
RRH
Valid Data OUT
OEZ
t
t
CDD
OFF
t
Hi Z
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t
RSH
CAS
t
RC
t
RCH
ASR
t
Row
CRP
t
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB314400BJ-60 IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes
HYB 314400BJ-60 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式))
HYB 39S128160CT 128-Mbit(4banks × 2MBit × 16) Synchronous DRAM(128M(4列 × 2M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S128400CT 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S128800CT 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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