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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB314400BJ-50- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 9/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | HYB314400BJ-50- |
HYB 314400BJ-50/-60
3.3 V 1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
9
1998-10-01
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
t
WRH
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
40
–
ns
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314400BJ-60 | IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes |
| HYB 314400BJ-60 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 39S128160CT | 128-Mbit(4banks × 2MBit × 16) Synchronous DRAM(128M(4列 × 2M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S128400CT | 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S128800CT | 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314400BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314405BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
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