參數(shù)資料
型號: HYB314400BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述: 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO20
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26
文件頁數(shù): 21/25頁
文件大小: 126K
代理商: HYB314400BJ-50
HYB 314400BJ-50/-60
3.3 V 1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
21
1998-10-01
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
SPT03035
"H" or "L"
WRP
Column
Row
Address
(Output)
(Input)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IN
V
V
IL
WE
IL
V
IH
V
V
IL
Valid Data
t
DS
t
WCS
t
DH
WP
t
WCH
t
t
ASR
V
CAS
IH
V
t
IL
IH
V
RAS
V
IL
IH
V
RAS
ASC
RAH
t
t
t
RAD
RCD
t
t
CAH
t
RSH
t
RC
t
RP
t
Row
Hi Z
t
WRH
RC
t
RAS
CHR
t
t
ASR
t
CRP
t
RP
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB314400BJ-50- 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB314400BJ-60 IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes
HYB 314400BJ-60 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式))
HYB 39S128160CT 128-Mbit(4banks × 2MBit × 16) Synchronous DRAM(128M(4列 × 2M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S128400CT 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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