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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB314400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | HYB314400BJ-50 |
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HYB 314400BJ-50/-60
3.3 V 1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
8
1998-10-01
Data to OE low delay
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
13
–
15
–
ns
14
OE high to data delay
13
–
15
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DZC
8
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
13
–
15
–
ns
Write command to CAS lead time
13
–
15
–
ns
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
10
–
10
–
ns
16
Data to CAS low delay
0
–
0
–
ns
13
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
131
–
150
–
ns
RAS to WE delay time
68
–
80
–
ns
15
CAS to WE delay time
31
–
35
–
ns
15
Column address to WE delay time
43
–
50
–
ns
15
OE command hold time
13
–
15
–
ns
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
t
CP
t
CPA
t
RAS
t
RHCP
35
–
40
–
ns
CAS precharge time
10
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
30
–
35
ns
7
RAS pulse width
50
200k
60
200k
ns
CAS precharge to RAS delay
30
–
35
–
ns
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read-write cycle time
t
PRWC
t
CPWD
71
–
80
–
ns
CAS precharge to WE
48
–
55
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit Note
-50
-60
min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314400BJ-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314400BJ-60 | IC-DARLINGTON ARRAY 4UNIT RoHS Compliant: Yes |
| HYB 314400BJ-60 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動(dòng)態(tài) RAM(快速頁(yè)面模式)) |
| HYB 39S128160CT | 128-Mbit(4banks × 2MBit × 16) Synchronous DRAM(128M(4列 × 2M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S128400CT | 128-Mbit(4banks × 8MBit × 4) Synchronous DRAM(128M(4列 × 8M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314400BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HYB314400BJL-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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