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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39L128160AC-8 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| 中文描述： | 128 - Mbit同步低功率DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/49頁 |
| 文件大小： | 938K |
| 代理商： | HYB39L128160AC-8 |
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HYB 39L128160AC/T
128-MBit 3.3V Mobile-RAM
INFINEON Technologies
4
2003-02
Pin Configuration for TSOP devices:
SPP04121
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
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DQ4
V
DDQ
DQ5
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V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
BA1
A10
BA0
CS
RAS
WE
CAS
N.C.
V
DD
N.C.
V
SSQ
DQ3
N.C.
V
DDQ
DQ2
N.C.
V
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N.C.
V
DDQ
V
DD
A3
A2
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A0
DQ0
V
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V
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A10
BA0
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RAS
WE
CAS
N.C.
V
DD
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V
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N.C.
V
DDQ
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V
DDQ
V
DD
A3
A2
A1
A0
V
SS
N.C.
V
SSQ
N.C.
DQ3
V
DDQ
N.C.
N.C.
V
SSQ
N.C.
DQ2
V
DDQ
N.C.
V
SS
N.C.
DQM
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
CLK
CKE
N.C.
A11
A9
A9
A8
A11
N.C.
CKE
DQM
CLK
N.C.
V
SS
N.C.
V
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DQ4
N.C.
V
SSQ
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N.C.
V
DDQ
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N.C.
V
SSQ
V
SS
A4
A5
A6
A7
DQ7
V
SS
V
SS
DQ15
A9
A8
A11
N.C.
CKE
UDQM
CLK
N.C.
V
SS
DQ8
V
DQ9
DQ10
V
SSQ
DQ11
DQ12
V
DDQ
DQ13
DQ14
V
SSQ
V
SS
A4
A5
A6
A7
TSOPII-54 (10.16 mm x 22.22 mm, 0.8 mm pitch)
32 M x 4
16 M x 8
8 M x 16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39L128160AT | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB39L128160AT-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AT-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.100/.213/.429 |
| HYB39L256160AT-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39L128160AT | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB39L128160AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?128M (8Mx16) 133MHz 3-3-3 ? |
| HYB39L128160AT-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L128160AT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM |
| HYB39L256160AC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 MBit Synchronous Low-Power DRAM |
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