參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S16400CT-10
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 16 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-50
文件頁(yè)數(shù)： 15/19頁(yè)
文件大小： 101K
代理商： HYB39S16400CT-10
HYB 39S16400/800/160CT-8/-10
16 MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
15
1998-10-01
AC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
1, 2, 3
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-8
-10
min.
max.
min.
max.
Clock and Clock Enable
Clock cycle time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
8
10
–
–
10
15
–
–
ns
ns
Clock frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
–
–
125
100
–
–
100
66
MHz
MHz
Access time from clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
–
6
6
–
–
7
8
ns
ns
2, 4
Clock High Pulse width
t
CH
t
CL
t
T
3
–
3
–
ns
Clock Low Pulse width
3
–
3
–
ns
Transition time
0.5
10
0.5
10
ns
Setup and Hold Times
Input Setup time
t
IS
t
IH
t
CKS
t
CKH
t
RSC
t
SB
2
–
2.5
–
ns
5
Input Hold time
1
–
1
–
ns
5
CKE Setup time
2
–
2.5
–
ns
5
CKE Hold time
1
–
1
–
ns
5
Mode Register Setup time
16
–
20
–
ns
Power Down Mode Entry time
0
8
0
10
ns
Common Parameters
Row to Column delay time
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
20
–
30
–
ns
Row Precharge time
20
–
30
–
ns
Row Active time
50
100k
60
100k
ns
Row Cycle time
70
–
90
–
ns
Activate (a) to Activate (b) Command
period
16
–
20
–
ns
CAS (a) to CAS (b) Command period
t
CCD
1
–
1
–
CLK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB39S16800CT-10 16 MBit Synchronous DRAM
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HYB39S256800 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM)
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