參數(shù)資料
型號: HYB514405BJ-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: RES 1.3K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA
中文描述: 1M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO20
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20
文件頁數(shù): 3/25頁
文件大小: 1361K
代理商: HYB514405BJ-60
Semiconductor Group
3
HYB 514405BJ/BJL-50/-60/-70
1M x 4 EDO - DRAM
Pin Configuration
(top view)
Pin Names
A0-A9
Address Input
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Read/Write Input
OE
Output Enable
I/
O1 -
I/
O4
V
CC
V
SS
N.C.
Data Input/Output
Power Supply (+ 5 V)
Ground (0 V)
No Connection
P-SOJ-26/20-5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB514405BJ-50 1M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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