參數(shù)資料
型號: HYS 64V32220GCDL
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V SDRAM Modules(3.3V SDRAM 模塊)
中文描述: 3.3V的內(nèi)存模塊(3.3V的內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 1/16頁
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代理商: HYS 64V32220GCDL
Semiconductor Group
12.99
7.99
T
3.3V SDRAM Modules
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
PC100 & PC133
256MB density in COB technique
HYS64V32220GCDL
144 Pin Eight Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules
for notebook applications
Two bank 32M x 64 non-parity module organisation
suitable for use in PC100 and PC133 applications
Performance:
Single +3.3V(
±
0.3V ) power supply
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence
(Sequential & Interleave)
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs are LVTTL compatible
Serial Presence Detect with E
2
PROM
Uses COB (“Chip-on-Board”) technique
4096 refresh cycles every 64 ms
Gold contact pad
This module family is fully pin and functional compatible
with the latest INTEL SO-DIMM specification
-7.5
-8
PC133
3-3-3
PC100
2-2-2
Units
f
CK
Clock frequency (max.)
133
100
MHz
t
AC
Clock access time
CAS latency = 2 & 3
5.4
6
ns
1
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PDF描述
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