參數(shù)資料
型號: HYS 64V32220GCDL
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V SDRAM Modules(3.3V SDRAM 模塊)
中文描述: 3.3V的內存模塊(3.3V的內存模塊)
文件頁數(shù): 4/16頁
文件大小: 100K
代理商: HYS 64V32220GCDL
HYS64V32220GCDL
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
Infineon Technologies
4
12.99
T
Block Diagram for two bank 32M x 64 SDRAM DIMM - Module
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS1
CS0
DQMB0
DQ(7:0)
DQMB1
DQ(15:8)
DQMB2
DQ(23:16)
DQMB3
DQ(31:24)
A0-A11,BA0,BA1
VDD
VSS
D0 - D7
C
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D15
D0 - D3
RAS, CAS, WE
CKE0
CLK0
CLK1
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
D3
DQMB4
DQ(39:32)
DQMB5
DQ(47:40)
DQMB6
DQ(55:48)
DQMB7
DQ(63:56)
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
D7
D4 - D7
CKE1
E
2
PROM (256wordx8bit)
SCL
SDA
SA0
SA1
SA2
must be maintained as shown.
Note: 1. DQ wiring may differ than describes in this
drawing, however DQ/DQMB/CKE/CS relationship
2. In this design each of the D0 - D7 components
are represented by two 16M x 8 chips. These two
chips effectively work as a single 16M x 16 device.
4 SDRAM
4 SDRAM
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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