參數(shù)資料
型號: HYS 64V32220GCDL
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V SDRAM Modules(3.3V SDRAM 模塊)
中文描述: 3.3V的內(nèi)存模塊(3.3V的內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 7/16頁
文件大小: 100K
代理商: HYS 64V32220GCDL
HYS64V32220GCDL
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
Infineon Technologies
7
12.99
T
AC Characteristics
1)2)
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
Vdd
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
min.
max.
min.
max.
Clock and Access Time
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
10
10
10
ns
ns
Clock Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
133
100
100
100
MHz
MHz
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
5.4
6
6
6
ns
ns
2,
3
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
t
T
2.5
3
ns
Clock Low Pulse Width
2.5
3
ns
Transition time
0.3
1.2
0.5
10
ns
Setup and Hold Parameters
Input Setup Time
t
IS
t
IH
t
SB
t
PDE
t
RSC
1.5
2
ns
4
Input Hold Time
0.8
1
ns
4
Power Down Mode Entry Time
1
1
CLK
4
Power Down Mode Exit Setup Time
1
1
CLK
4
Mode Register Set-up time
2
2
CLK
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
20
20
ns
5
Row Precharge Time
20
20
ns
5
Row Active Time
45
100k
50
100k
ns
5
Row Cycle Time
67
70
ns
5
Activate(a) to Activate(b) Command
period
14
16
ns
5
CAS(a) to CAS(b) Command period
t
CCD
1
1
CLK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS 64V32220GD(L)-8A 3.3V SDRAM Modules(3.3V SDRAM 模塊)
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HYS 64V4300GU 3.3 V 4M × 64-Bit 1 Bank SDRAM Module(3.3 V 4M × 64-位 × 1列同步動態(tài)RAM模塊)
HYS 64V8220GDL 3.3 V SDRAM Module(3.3 V SDRAM 模塊)
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參數(shù)描述
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