參數(shù)資料
型號(hào): IC42S81600-8T(G)
英文描述: 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 4(2)M中的x 8(16)位× 4銀行(128 - Mbit的)同步動(dòng)態(tài)RAM
文件頁數(shù): 23/69頁
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代理商: IC42S81600-8T(G)
IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
Integrated Circuit Solution Inc.
3
DR023-0E 6/11/2004
PIN CONFIGURATIONS
54-Pin TSOP-2 (IC42S81600)
Pin Name
Function
DQM
DQ Mask Enable
A0-11
Address Input
BA0,1
Bank Address
VDD
Power Supply
VDDQ
Power Supply for DQ
VSS
Ground
VSSQ
Ground for DQ
PIN DESCRIPTIONS
Pin Name
Function
CLK
Master Clock
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Write Enable
DQ0 ~ DQ15
Data I/O
54-Pin TSOP-2 (IC42S16800)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
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19
20
21
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27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VDD
NC
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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50
49
48
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43
42
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38
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33
32
31
30
29
28
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
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PDF描述
IC42S81600-8TG 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC42S81600-8TI 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC42S81600L-6T 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC42S81600L-6T(G) 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IC42S81600L-6TG 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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