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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S81600-8T(G) |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 24/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600-8T(G) |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
30
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
AC Parameters for Write Timing (1 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5
T6 T7 T8
T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CH
t
CL
t
CKS
t
CMS
t
CMH
tAS
tAH
Begin Auto Precharge
Bank A
Begin Auto Precharge
Bank B
t
CKH
t
CK2
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
*BS0
A10
ADD
DQM
DQ
tRCD
tRRD
tRC
tDAL
QA
a0 QAa1 QAa2 QAa3 QBa0 QBa1 QBa2 QBa3 QAb0 QAb1 QAb2 QAb3
Activate
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
Write without
Auto Precharge
Command
Bank A
tDS
t
DH
t
DPL
RP
t
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Burst Length=4, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank B
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