參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71P73104
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
中文描述： 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4
文件頁數(shù)： 13/25頁
文件大?。?/td> 648K
代理商： IDT71P73104
6.42
13
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Input Electrical Characteristics Over the Operating Temperature and
Supply Voltage Range
(V
DD
= 1.8 ± 100mV, V
DDQ
= 1.4V to 1.9V)
NOTES:
1. These are DC test criteria. DC design criteria is VREF + 50mV. The AC VIH/VIL levels are defined separately for measuring timng parameters.
2. VIH (Max) DC = VDDQ+0.3, VIH (Max) AC = VDD +0.5V (pulse width <20% tKHKH (mn))
3. VIL (Mn) DC = -0.3V, VIL (Mn) AC = -0.5V (pulse width <20% tKHKH (mn))
4. This conditon is for AC function test only, not for AC parameter test.
5. To maintain a valid level, the transitioning edge of the input must:
a) Sustain a constant slew rate fromthe current AC level through the target AC level, VIL(AC) or VIH(AC)
b) Reach at least the target AC level.
c) After the AC target level is reached, continue to maintain at least the target DC level, VIL(DC) or VIH(DC)
Overshoot Timing
Undershoot Timing
V
IL
V
DD
V
DD
+0.25
V
DD
+0.5
20%tKHKH(MIN)
6431drw21
V
SS
V
IH
V
SS
-0.25V
V
SS
-0.5V
20% tKHKH(MIN)
6431drw22
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input High
Voltage, DC
V
IH
(DC
)
V
REF
+0.1
V
DDQ
+0.3
V
1,2
Input Low
Voltage, DC
V
IL
(DC)
-0.3
V
REF
-0.1
V
1,3
Input High
Voltage, AC
V
IH
(AC)
V
REF
+0.2
-
V
4,5
Input Low
Voltage, AC
V
IL
(AC)
-
V
REF
-0.2
V
4,5
6431 tbl 10d
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71P73104167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73104200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73104250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73204 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73204167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71P73604S167BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S167BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S200BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S200BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S250BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*