參數(shù)資料
型號： IDT71P73104
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
中文描述： 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4
文件頁數(shù)： 25/25頁
文件大?。?/td> 648K
代理商： IDT71P73104
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18 x -Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Revision History
REV
DATE
PAGES
DESCRIPTION
0
07/29/05
p. 1-24
Released Final datasheet
相關PDF資料
PDF描述
IDT71P73104167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73104200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73104250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73204 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73204167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71P73604S167BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S167BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S200BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S200BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73604S250BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
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