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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71P73104 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4 |
| 文件頁數(shù)： | 18/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 648K |
| 代理商： | IDT71P73104 |
6.42
18
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Scan Register Definition
Part
Instrustion Register
Bypass Register
ID Register
Boundry Scan
512Kx36
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
1Mx18
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
2Mx8/x9
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
6431 tbl 14
Identification Register Definitions
INSTRUCTION FIELD
ALL DEVICES
DESCRIPTION
PART NUMBER
Revision Number (31:29)
0x0
Revision Number
Device ID (28:12)
0x0290
0x0291
0x0292
0x0293
512Kx36 DDRII BURST OF 4
1Mx18
2Mx9
2Mx8
71P73604S
71P73804S
71P73104S
71P73204S
IDT JEDEC ID CODE (11:1)
0x033
Allows unique identification of SRAM
vendor
ID Register Presence
Indicator (0)
1
Indicates the presence of an ID register
6431 tbl 15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IDT71P73604S200BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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