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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71P73104 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4 |
| 文件頁數(shù)： | 16/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 648K |
| 代理商： | IDT71P73104 |
6.42
16
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Timing Waveform of Combined Read and Write Cycles
NOTE:
1. If R
/W
is low on the second rising edge of K after a Read request, the device automatically performs a NOP (No Operation.)
2. The second NOP cycle is not necessary for correct device operation; however at high clock frequencies, it may be required to prevent bus
contention.
6431 drw 09
K
K
1
2
3
LD
SA
tKHCH
tKHKL
tKHIX
tIVKH
tKHAX
tAVKH
C
C
CQ
CQ
tCHQX
tCHQX1
tDVKH
tKHDX
tKHDX
D20
D21
D22
D23
tDVKH
tCHCQV
tCHCQX
R/
W
DQ
4
5
6
7
tKLKH
tKHKH
tKH
K
H
A4
A1
A0
A3
tCHQV
tCHQX
tCHQV
tCHQZ
tKHCH
NOP
Read A0
(burst of 4)
Read A1
(burst of 4)
NOP
(Note 1)
Write A2
(burst of 4)
8
Read A4
(burst of 4)
12
Q00
Q01
Q02
Q03
Q0
Q1
NOP
A2
Qx3
tCQHQX
tKHKH
tKH
K
H
tCHCQX
tCHCQV
Write A3
(burst of 4)
10
9
11
13
Q12
Q13
D30
D31
D32
D33
Q40
tCQHQV
tKHKL
tKLKH
Note2
Note1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P73104167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73204 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73204167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P73604S167BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S200BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P73604S250BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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