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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71P73204 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 648K |
| 代理商： | IDT71P73204 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)當(dāng)前第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)
6.42
14
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
AC Test Conditions
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
=50
V
DDQ
/2
V
REF
OUTPUT
6431 drw 10
ZQ
R
Q
= 250
DDQ
/2
V
AC Test Load
Parameter
Symbol
Value
Unit
Core Power Supply Voltage
V
DD
1.7-1.9
V
Output Power Supply Voltage
V
DDQ
1.4-1.9
V
Input High Level
V
IH
(V
DDQ
/2) + 0.5
V
Input Low Level
V
IL
(V
DDQ
/2) - 0.5
V
Input Reference Level
VREF
V
DDQ
/2
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
0.3/0.3
ns
DQ Rise/Fall Time
0.5/0.5
Output Timng Reference Level
V
DDQ
/2
V
6431 tbl 11a
NOTE:
1. Parameters are tested with RQ=250
Input Waveform
Output Waveform
(V
DDQ
/2) + 0.5V
(V
DDQ
/2) - 0.5V
6431 drw 07
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
6431 drw 08
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P73204167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
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| IDT71P73604 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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